- ArtikelnummerHGTP5N120BND
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT 1200V 21A 167W TO220AB
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
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Preisgestaltung:
- 1$1.38624
- 800$1.38624
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Not For New Designs
- igbt-Typ:NPT
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):21 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):40 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 5A
- Leistung max:167 W
- Schaltenergie:450µJ (on), 390µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:53 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:22ns/160ns
- Testbedingung:960V, 5A, 25Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):65 ns
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-220-3
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3
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