- ArtikelnummerHGT1S10N120BNST
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
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Preisgestaltung:
- 1$2.62
- 800$1.89606
- 1.600$1.61366
- 2.400$1.54125
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:NPT
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):35 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):80 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
- Leistung max:298 W
- Schaltenergie:320µJ (on), 800µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:100 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:23ns/165ns
- Testbedingung:960V, 10A, 10Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):-
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-263AB
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