- ArtikelnummerGT60N321(Q)
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 3.213
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Preisgestaltung:
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Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- igbt-Typ:-
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1000 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):60 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):120 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 60A
- Leistung max:170 W
- Schaltenergie:-
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:-
- td (ein/aus) @ 25°c:330ns/700ns
- Testbedingung:-
- Reverse Recovery-Zeit (trr):2.5 µs
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-3PL
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P(LH)
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