Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:-
• Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:100A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 50A
• vgs (th) (max) @ id:-

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):-
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):769W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 225°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-258
• Paket / Koffer:TO-258-3, TO-258AA