Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:-
• Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1700 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4A (Tc) (95°C)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:480mOhm @ 4A
• vgs (th) (max) @ id:-

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):-
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):106W (Tc)
• Betriebstemperatur:175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AB
• Paket / Koffer:TO-247-3