Technische Details

• Serie:G3R™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1700 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:124A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V
• rds on (max) @ id, vgs:26mOhm @ 75A, 15V
• vgs (th) (max) @ id:2.7V @ 15mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:400 nC @ 15 V
• vgs (max):±15V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10187 pF @ 1000 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):809W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
• Paket / Koffer:TO-247-4