- ArtikelnummerFQU2N100TU
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.08
- 10$0.95894
- 100$0.76358
- 500$0.59773
- 1.000$0.47707
Technische Details
- Serie:QFET®
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1000 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1.6A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:9Ohm @ 800mA, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15.5 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:520 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
- Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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