- ArtikelnummerFQP17P06
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.850
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.47
- 10$0.41726
- 100$0.33212
- 500$0.25999
- 1.000$0.20751
Technische Details
- Serie:QFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:P-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:17A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:120mOhm @ 8.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
- vgs (max):±25V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:900 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):79W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3
- Paket / Koffer:TO-220-3
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.