- ArtikelnummerFQD12N20LTM
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.82
- 2.500$0.39706
- 5.000$0.37114
- 12.500$0.35819
- 25.000$0.35111
Technische Details
- Serie:QFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 5 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1080 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 55W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D-Pak
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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