- ArtikelnummerFQA13N80-F109
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 90
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Preisgestaltung:
- 1$1.93
- 10$1.72857
- 450$1.29336
- 900$1.05903
- 1.350$0.99208
Technische Details
- Serie:QFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:12.6A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:750mOhm @ 6.3A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:88 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3.5 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):300W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PN
- Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
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