Technische Details

• Serie:QFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):500 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:13.5A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:480mOhm @ 6.75A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.055 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):218W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P
• Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3