- ArtikelnummerFPF2C110BI07AS2
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT MODULE 650V 40A 300W F2
- KategorieTransistoren - igbts - Module
Auf Lager: 2.756
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Preisgestaltung:
- 1$73.73357
- 70$73.73357
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tray
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:-
- Aufbau:Half Bridge
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):40 A
- Leistung max:300 W
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
- Strom - Kollektorabschaltung (max):250 µA
- Eingangskapazität (Cies) @ vce:-
- Eingang:Standard
- ntc-Thermistor:Yes
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:30-DIP Module
- Gerätepaket des Lieferanten:F2
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