Technische Details

• Serie:-
• Paket:Box
• Teilestatus:Obsolete
• Transistortyp:NPN - Pre-Biased
• Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
• Widerstand - Basis (r1):22 Ohms
• Widerstand - Emitterbasis (r2):22 Ohms

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:85 @ 5mA, 5V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:200mV @ 250µ, 5mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
• Frequenz - Übergang:-
• Leistung max:200 mW
• Befestigungsart:-
• Paket / Koffer:-
• Gerätepaket des Lieferanten:-