Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Transistortyp:PNP
• Strom - Kollektor (ic) (max):2 A
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):35 V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:450mV @ 50mA, 2A
• Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1.5A, 1.5V
• Leistung max:1.56 W
• Frequenz - Übergang:-
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:6-VDFN Exposed Pad
• Gerätepaket des Lieferanten:6-MicroFET (2x2)