- ArtikelnummerFGD3N60UNDF
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT 600V 6A 60W DPAK
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 2.779
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Preisgestaltung:
- 1$1.06
- 2.500$0.4719
- 5.000$0.45073
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:NPT
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):6 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):9 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.52V @ 15V, 3A
- Leistung max:60 W
- Schaltenergie:52µJ (on), 30µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:1.6 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:5.5ns/22ns
- Testbedingung:400V, 3A, 10Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):21 ns
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-252, (D-Pak)
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