- ArtikelnummerFGD3N60LSDTM
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT 600V 6A 40W DPAK
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 413
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1.21
- 2.500$0.5396
- 5.000$0.51539
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:-
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):6 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):25 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:1.5V @ 10V, 3A
- Leistung max:40 W
- Schaltenergie:250µJ (on), 1mJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:12.5 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:40ns/600ns
- Testbedingung:480V, 3A, 470Ohm, 10V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):234 ns
- Betriebstemperatur:-
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Gerätepaket des Lieferanten:D-Pak
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