Technische Details

• Serie:CoolSiC™+
• Paket:Tray
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:100A
• rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 100A, 15V

• vgs (th) (max) @ id:5.55V @ 40mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:250nC @ 15V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:7950pF @ 800V
• Leistung max:-
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:Module