Technische Details

• Serie:PowerTrench®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:6.8A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 6.8A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
• vgs (max):±25V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.07 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.4W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:6-MicroFET (2x2)
• Paket / Koffer:6-VDFN Exposed Pad