- ArtikelnummerFDD4N60NZ
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.93
- 2.500$0.39455
- 5.000$0.3688
- 12.500$0.35591
- 25.000$0.34888
Technische Details
- Serie:UniFET-II™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.4A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:2.5Ohm @ 1.7A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:10.8 nC @ 10 V
- vgs (max):±25V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):114W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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