- ArtikelnummerFDD3510H
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 474
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1.25
- 2.500$0.55299
- 5.000$0.52687
- 12.500$0.5082
Technische Details
- Serie:PowerTrench®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N and P-Channel, Common Drain
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):80V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4.3A, 2.8A
- rds on (max) @ id, vgs:80mOhm @ 4.3A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:18nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:800pF @ 40V
- Leistung max:1.3W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-252-4L
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.