- ArtikelnummerFDC855N
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 8.334
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.72
- 3.000$0.67861
- 6.000$0.63484
- 15.000$0.59106
- 30.000$0.56042
Technische Details
- Serie:PowerTrench®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:6.1A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:27mOhm @ 6.1A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:655 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1.6W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:SuperSOT™-6
- Paket / Koffer:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.