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Technische Details

  • Serie:UniFET™
  • Paket:Tube
  • Teilestatus:Active
  • Fußtyp:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):400 V
  • Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:23A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:190mOhm @ 11.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA

 

  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3030 pF @ 25 V
  • Fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max):235W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PN
  • Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3

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