Technische Details

• Serie:eGaN®
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
• Drain-Source-Spannung (vdss):65 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2.7A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
• rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 500mA, 5V
• vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:0.45 nC @ 5 V
• vgs (max):+6V, -4V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:52 pF @ 32.5 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:Die
• Paket / Koffer:Die