- ArtikelnummerEPC2107
- MarkeEPC
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungGANFET 3 N-CH 100V 9BGA
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 1.407
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$2.01
- 2.500$0.89932
Technische Details
- Serie:eGaN®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
- Fet-Funktion:GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1.7A, 500mA
- rds on (max) @ id, vgs:320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
- Leistung max:-
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:9-VFBGA
- Gerätepaket des Lieferanten:9-BGA (1.35x1.35)
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