- ArtikelnummerEPC2100ENGRT
- MarkeEPC
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungGANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 3.150
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Preisgestaltung:
- 1$5.1832
- 500$5.05281
- 1.000$4.56382
Technische Details
- Serie:eGaN®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
- Fet-Funktion:GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10A (Ta), 40A (Ta)
- rds on (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
- Leistung max:-
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:Die
- Gerätepaket des Lieferanten:Die
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