- ArtikelnummerEMF8T2R
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungTRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- KategorieTransistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
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Preisgestaltung:
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Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)
- Teilestatus:Not For New Designs
- Transistortyp:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Strom - Kollektor (ic) (max):100mA, 500mA
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V, 12V
- Widerstand - Basis (r1):47kOhms
- Widerstand - Emitterbasis (r2):47kOhms
- Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- vce-Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
- Frequenz - Übergang:250MHz, 320MHz
- Leistung max:150mW
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
- Gerätepaket des Lieferanten:EMT6
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