- ArtikelnummerEFC6602R-TR
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Preisgestaltung:
- 1$0.23
- 5.000$0.23
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Fet-Funktion:Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Drain-Source-Spannung (vdss):12V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18A (Ta)
- rds on (max) @ id, vgs:5.9mOhm @ 3A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:1.3V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:55nC @ 4.5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
- Leistung max:2W (Ta)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:6-XFBGA, WLCSP
- Gerätepaket des Lieferanten:6-WLCSP (1.81x2.7)
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