Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:150mA (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.5V, 4V
• rds on (max) @ id, vgs:3.7Ohm @ 80mA, 4V
• vgs (th) (max) @ id:-

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1.58 nC @ 10 V
• vgs (max):±10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:7 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):150mW (Ta)
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:4-ECSP1008
• Paket / Koffer:4-UFDFN