- ArtikelnummerDTC115GUAT106
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungTRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
- KategorieTransistoren - bipolar (bjt) - einfach, vorgespannt
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Preisgestaltung:
- 1$0.2
- 3.000$0.03315
- 6.000$0.0299
- 15.000$0.026
- 30.000$0.0234
- 75.000$0.0208
- 150.000$0.0182
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Not For New Designs
- Transistortyp:NPN - Pre-Biased
- Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
- Widerstand - Basis (r1):-
- Widerstand - Emitterbasis (r2):100 kOhms
- Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:82 @ 5mA, 5V
- vce-Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
- Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA (ICBO)
- Frequenz - Übergang:250 MHz
- Leistung max:200 mW
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:SC-70, SOT-323
- Gerätepaket des Lieferanten:UMT3
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