Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tape & Reel (TR)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.5V, 8V
• rds on (max) @ id, vgs:78mOhm @ 500mA, 8V
• vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1.34 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:143 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):660mW
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:X4-DSN1006-3
• Paket / Koffer:3-XFDFN