Technische Details

• Serie:*
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:50A
• rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 50A, 15V

• vgs (th) (max) @ id:5.5V @ 20mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:125nC @ 5V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3950pF @ 800V
• Leistung max:20mW
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:Module