- ArtikelnummerCY7C1412KV18-250BZC
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungQDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P
- KategorieErinnerung
Auf Lager: 306
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$41.37
- 10$38.36322
- 25$37.00713
- 50$36.08671
- 136$31.60615
- 272$30.73425
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Speichertyp:Volatile
- Speicherformat:SRAM
- Technologie:SRAM - Synchronous, QDR II
- Speichergröße:36Mb (2M x 18)
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Taktfrequenz:250 MHz
- Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
- Zugriffszeit:-
- Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
- Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:165-LBGA
- Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (13x15)
Verwandte Produkte
IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 54VFBGA
Auf Lager: 2.208
Preis erfragen
IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Auf Lager: 1
- 1: $0.42000
- 25: $0.41140
- 100: $0.39040
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Auf Lager: 2.216
- 1: $4.11000
- 144: $4.11000
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Auf Lager: 231
- 1: $7.86000
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
Auf Lager: 2.454
Preis erfragen
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Auf Lager: 680
- 1: $2.13000
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP
Auf Lager: 3.623
- 1: $38.39331
- 750: $28.26534
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Auf Lager: 6.493
- 1: $158.66000
IC EEPROM 2KBIT SPI 3MHZ 8SOIC
Auf Lager: 2.750
Preis erfragen
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP
Auf Lager: 2.884
Preis erfragen
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.