Technische Details

• Serie:NexFET™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:14A (Ta), 60A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:11.7mOhm @ 10A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12.3 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.4 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.8W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
• Paket / Koffer:8-PowerTDFN