Technische Details

• Serie:NexFET™
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:26mOhm @ 2A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.05V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7.5 nC @ 4.5 V
• vgs (max):-6V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1010 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):500mW (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:9-DSBGA
• Paket / Koffer:9-UFBGA, DSBGA