Technische Details

• Serie:NexFET™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2.2A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:82mOhm @ 500mA, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:2.4 nC @ 4.5 V
• vgs (max):-6V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:325 pF @ 6 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:4-DSBGA (1x1)
• Paket / Koffer:4-UFBGA, DSBGA