Auf Lager: 2.585

Kann sofort versenden

Preisgestaltung:
  • 1$46.88
  • 250$46.88

Technische Details

  • Serie:GaN
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilestatus:Active
  • Transistortyp:HEMT
  • Frequenz:6GHz
  • dazugewinnen:18.3dB
  • Spannung - Test:28 V

 

  • Strombelastbarkeit (Ampere):-
  • Rauschzahl:-
  • Aktueller Test:200 mA
  • Leistung:30W
  • Spannung - bewertet:84 V
  • Paket / Koffer:12-VFDFN Exposed Pad
  • Gerätepaket des Lieferanten:12-DFN (4x3)

Verwandte Produkte


Product

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Auf Lager: 2.778

Preis erfragen

Product

FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4

Auf Lager: 3.540

  • 1: $46.47000
  • 500: $37.67890
Product

RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3

Auf Lager: 3.363

  • 1: $0.07623
  • 3000: $0.07623
Product

IC FET RF LDMOS H-34288-6

Auf Lager: 2.194

Preis erfragen

Product

IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2

Auf Lager: 2.886

Preis erfragen

Product

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Auf Lager: 385

  • 1: $22.47000
  • 500: $17.29706
Product

N-CHANNEL POWER MOSFET

Auf Lager: 2.900

  • 1: $0.19000
Product

RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A

Auf Lager: 3.847

Preis erfragen

Product

RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A

Auf Lager: 55

  • 1: $139.84000
  • 20: $133.23000
Product

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

Auf Lager: 2.575

Preis erfragen

Top