Technische Details

• Serie:-
• Paket:Box
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:395A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs:5.3mOhm @ 400A, 15V

• vgs (th) (max) @ id:3.6V @ 92mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:908nC @ 15V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2450pF @ 800V
• Leistung max:-
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:-