Technische Details

• Serie:C3M™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:30A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V
• rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 20A, 15V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 5mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:54 nC @ 15 V
• vgs (max):+19V, -8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1350 pF @ 1000 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):113.6W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
• Paket / Koffer:TO-247-3