Technische Details

• Serie:C3M™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1.2 kV
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:115A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V
• rds on (max) @ id, vgs:22.3mOhm @ 75A, 15V
• vgs (th) (max) @ id:3.6V @ 23mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:211 nC @ 15 V
• vgs (max):+15V, -4V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6085 pF @ 1000 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):556W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
• Paket / Koffer:TO-247-4