Technische Details

• Serie:Z-FET™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Not For New Designs
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:60A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):20V
• rds on (max) @ id, vgs:52mOhm @ 40A, 20V
• vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 10mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:115 nC @ 20 V
• vgs (max):+25V, -10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1893 pF @ 1000 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):330W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
• Paket / Koffer:TO-247-3