Technische Details

• Serie:SIPMOS®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:14.5A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
• rds on (max) @ id, vgs:200mOhm @ 9A, 5V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.12 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):95W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO262-3-1
• Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA