Technische Details

• Serie:TEMPFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:35A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:13mOhm @ 19A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2V @ 130µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:130 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2660 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:Temperature Sensing Diode
• Verlustleistung (max):170W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO220-5-3
• Paket / Koffer:TO-220-5 Formed Leads