Technische Details

• Serie:SIPMOS®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:660mA (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.8Ohm @ 660mA, 10V
• vgs (th) (max) @ id:1.8V @ 400µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:16.1 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:357 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1.8W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT223-4
• Paket / Koffer:TO-261-4, TO-261AA