- ArtikelnummerBSP149 E6327
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:SIPMOS®
- Paket:Tape & Reel (TR)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:660mA (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):0V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:1.8Ohm @ 660mA, 10V
- vgs (th) (max) @ id:1V @ 400µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 5 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:430 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:Depletion Mode
- Verlustleistung (max):1.8W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT223-4
- Paket / Koffer:TO-261-4, TO-261AA
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