- ArtikelnummerBSO615NGHUMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Technische Details
- Serie:SIPMOS®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):60V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2.6A
- rds on (max) @ id, vgs:150mOhm @ 2.6A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:2V @ 20µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:20nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:380pF @ 25V
- Leistung max:2W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-DSO-8
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