Technische Details

• Serie:OptiMOS™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:7A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:21mOhm @ 8.9A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 100µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3.75 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1.6W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:P-DSO-8
• Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)