- ArtikelnummerBSM75GD120DN2BOSA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT MOD 1200V 103A 520W
- KategorieTransistoren - igbts - Module
Auf Lager: 3.073
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$228.291
- 10$212.21921
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tray
- Teilestatus:Not For New Designs
- igbt-Typ:-
- Aufbau:Three Phase Inverter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):103 A
- Leistung max:520 W
- vce(on) (max) @ vge, ic:3V @ 15V, 75A
- Strom - Kollektorabschaltung (max):1.5 mA
- Eingangskapazität (Cies) @ vce:5.1 nF @ 25 V
- Eingang:Standard
- ntc-Thermistor:No
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Chassis Mount
- Paket / Koffer:Module
- Gerätepaket des Lieferanten:Module
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.