- ArtikelnummerBSM600C12P3G201
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungSICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1200
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tray
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:600A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
- rds on (max) @ id, vgs:-
- vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 182mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
- vgs (max):+22V, -4V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:28000 pF @ 10 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2460W (Tc)
- Betriebstemperatur:175°C (TJ)
- Befestigungsart:Chassis Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:Module
- Paket / Koffer:Module
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