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  • 1$710.45

Technische Details

  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilestatus:Active
  • Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
  • Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:300A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:-

 

  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 68mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:35000pF @ 10V
  • Leistung max:1875W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module

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