- ArtikelnummerBSM180D12P3C007
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungSIC POWER MODULE
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 11
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$563.26
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:180A (Tc)
- rds on (max) @ id, vgs:-
- vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 50mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:900pF @ 10V
- Leistung max:880W
- Betriebstemperatur:175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:Module
- Gerätepaket des Lieferanten:Module
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